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SiC肖特基势垒二极管

SiC器件具有出色的特性，能够实现高耐压、低功耗、高频动作和高温动作。使用SiC的功率半导体能够实现大幅节能和安装米乐m6 的小型化、轻量化。

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SiC-SBD系列

接线 VRRM (V) Io (A)
TO-220
TO-220F
TO-247
T-Pack(s)
单管 650 6 FDCP06S65 FDCA06S65
8 FDCP08S65 FDCA08S65
10 FDCC10S65
25 FDCC25C65
1200 18
双管 650 20 FDCC20C65
50      
1200 36      

：新米乐m6

：更新

：开发中

 


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